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单温区CVD管式炉系统

描述:CVD是化学气相沉积的英文简写,本公司生产的单温区CVD管式炉系统是利用管式炉加热,把构成固态沉积物的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入炉管内,在炉管内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。

更新时间:2022-12-05
产品型号:CSK2-12DZ
厂商性质:生产厂家
访问次数:302
详情介绍
品牌其他品牌升温速度(达到最高温)60min
内部尺寸φ50--φ200mm加热方式合金电阻丝
最大功率6000W控温精度±1℃℃
最高温度1200℃价格区间面议
仪器种类管式炉产地类别国产
应用领域化工,生物产业,制药

CSK2-12DZ单温区1200度系列CVD系统

 

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CVD系统应用:

CVD是化学气相沉积的英文简写,本公司生产的CVD系统是利用管式炉加热,把构成固态沉积物的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入炉管内,在炉管内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。

 

CVD系统分类:

CVD技术常常通过反应类型或者压力来分类,包括低压CVD(LPCVD),常压CVD(APCVD),亚常压CVD(SACVD),超高真空CVD(UHCVD),等离子体增强CVD(PECVD),高密度等离子体CVD(HDPCVD)以及快热CVD(RTCVD)。然后,还有金属有机物CVD(MOCVD),根据金属源的自特性来保证它的分类,这些金属的典型状态是液态,在导入容器之前必须先将它气化。

 

CSK2-12DZ系列单温区CVD系统组成:

CVD系统=管式炉+真空抽气系统+多路供气系统(或者液态蒸发系统


CSK2-12DZ系列单温区CVD系统配置选择:

管式炉:

SK2-12DZ 管式真空气氛炉,1200℃,管径:50—200mm


真空抽气系统:

LVSE-0.1低真空控制系统

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HVSE高真空控制系统

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多路供气系统:

ZDS-X多路质子流量计控制供气系统

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FDS-X多路浮子流量计控制供气系统

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PECVD系统:

PECVD:是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).

 

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   PECVD系统的中文名是等离子增强化学气相沉积系统。是在CVD的基础上加一个射频电源,这个射频电源通过感应线圈使管式炉炉管内气体形成等离子体,等离子体化学活性很强,很容易发生反应,从而在基片上沉积出所期望的固态沉积物。PECVD具有比普通CVD沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高、沉积所需的温度低等优点。PECVD是由CVD系统再加一个PE500射频电源、线圈组成


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