| 品牌 | 其他品牌 | 升温速度（达到最高温） | 60min |
|---|---|---|---|
| 内部尺寸 | φ50--φ200mm | 加热方式 | 合金电阻丝 |
| 最大功率 | 6000W | 控温精度 | ±1℃℃ |
| 最高温度 | 1200℃ | 价格区间 | 面议 |
| 仪器种类 | 管式炉 | 产地类别 | 国产 |
| 应用领域 | 化工,生物产业,制药 |
CSK2-12DZ单温区1200度系列CVD系统
CVD是化学气相沉积的英文简写，本公司生产的CVD系统是利用管式炉加热，把构成固态沉积物的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入炉管内，在炉管内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。
CVD系统分类：
CVD技术常常通过反应类型或者压力来分类，包括低压CVD(LPCVD)，常压CVD(APCVD)，亚常压CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等离子体增强CVD(PECVD)，高密度等离子体CVD(HDPCVD)以及快热CVD(RTCVD)。然后，还有金属有机物CVD(MOCVD)，根据金属源的自特性来保证它的分类，这些金属的典型状态是液态，在导入容器之前必须先将它气化。
CSK2-12DZ系列单温区CVD系统组成：
CVD系统=管式炉+真空抽气系统+多路供气系统（或者液态蒸发系统）
CSK2-12DZ系列单温区CVD系统配置选择：
管式炉：
SK2-12DZ 管式真空气氛炉，1200℃，管径：50—200mm
真空抽气系统：
LVSE-0.1低真空控制系统
HVSE高真空控制系统
多路供气系统：
ZDS-X多路质子流量计控制供气系统
FDS-X多路浮子流量计控制供气系统
PECVD系统：
PECVD：是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).
PECVD系统的中文名是等离子增强化学气相沉积系统。是在CVD的基础上加一个射频电源，这个射频电源通过感应线圈使管式炉炉管内气体形成等离子体，等离子体化学活性很强，很容易发生反应，从而在基片上沉积出所期望的固态沉积物。PECVD具有比普通CVD沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高、沉积所需的温度低等优点。PECVD是由CVD系统再加一个PE500射频电源、线圈组成
